Samsung nghiên cứu bộ nhớ xếp dọc cho chip AI, gấp 10 lần HBM5

Samsung Electronics giới thiệu V10 Bonding V-NAND, còn gọi là nguyên mẫu BV-NAND, với hơn 400 lớp tại hội nghị FMS ở Santa Clara, California. Samsung cho biết công nghệ này tăng mật độ lưu trữ khoảng 58% so với V9 NAND.

BV-NAND sử dụng kiến trúc bonding wafer mới nhằm tăng mật độ lưu trữ và cải thiện hiệu suất đọc, ghi cùng khả năng xử lý đầu vào/đầu ra. Samsung phát triển công nghệ này để đáp ứng nhu cầu lưu trữ dung lượng cao, tiết kiệm năng lượng cho các hệ thống AI.

Samsung cũng giới thiệu các mô hình ý tưởng zHBM và zNAND-O, trong đó các ô nhớ được xếp chồng theo chiều dọc để lưu trữ nhiều dữ liệu hơn trong không gian nhỏ hơn. Với zHBM, bộ nhớ được đặt trực tiếp phía trên bộ tăng tốc AI thay vì đóng gói cạnh bộ xử lý như HBM truyền thống, qua đó rút ngắn khoảng cách truyền dữ liệu và tăng băng thông.

Theo Samsung, công nghệ bonding wafer của zHBM có thể đạt mật độ lưu trữ cao hơn 10 lần so với HBM5 truyền thống, đồng thời tăng gấp ba hiệu quả năng lượng và giảm hơn một nửa điện trở nhiệt.

Tuyên bố miễn trừ: Bài viết này chỉ nhằm mục đích cung cấp thông tin dưới dạng blog cá nhân, không phải là khuyến nghị đầu tư. Nhà đầu tư cần tự nghiên cứu kỹ lưỡng trước khi đưa ra quyết định và chúng tôi không chịu trách nhiệm đối với bất kỳ quyết định đầu tư nào của bạn.

Theo Nghị quyết số 05/2025/NQ-CP ngày 09/09/2025 của Chính phủ về việc thí điểm triển khai thị trường tài sản số tại Việt Nam, TinTucBitcoin.com hiện chỉ cung cấp thông tin cho độc giả quốc tế và không phục vụ người dùng tại Việt Nam cho đến khi có hướng dẫn chính thức từ cơ quan chức năng.