Tower Semiconductor sẽ đầu tư 3 tỷ USD để mở rộng sản xuất chip tại Nhật Bản, trong đó có khoản trợ cấp 1 tỷ USD từ chính phủ Nhật. Kế hoạch này tập trung vào tăng năng lực sản xuất thiết bị silicon photonic 300 mm và mở thêm công suất đóng gói tiên tiến.
Thông báo được đưa ra ngày 14/7 theo giờ địa phương. Giai đoạn đầu sẽ chuyển đổi cơ sở Fab 6 hiện có để phục vụ thiết bị silicon photonic 300 mm, với sản xuất toàn phần dự kiến vào quý IV/2027.
Giai đoạn hai sẽ triển khai song song với giai đoạn đầu, bao gồm xây dựng một nhà máy quang khắc 300 mm mới bên cạnh khu Fab 7. Hiện chưa có thêm chi tiết về tiến độ từng hạng mục ngoài các mốc đã nêu.